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联系人:岳晓茜 女士 (销售)
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四管高温扩散炉,可根据需求定制

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详细说明

    应 用:半导体集成电路及器件的扩散、氧化、合金、退火等工艺

工 艺:扩散(硼扩散、磷扩散等),氧化(干氧氧化、湿氧氧化-去离子水氧化、氢氧合成氧化等),退火,合金等等

结 构:水平结构,垂直结构

晶圆规格:4"、5"、6"、8";

太阳能电池为125×125、156×156

工艺管数:水平结构为1-4管,垂直结构为1管

产品类型:生产型,科研型(R&D-小型)

产品等级:普通级(一般性的科研与生产)

标准级(国际通行技术标准及质量等级,如IC制造等)

系统组成:主机(FURNACE)、气源柜(GAS/SOURCE CABINET)、 工作台(LOADSTATION-自动送片/净化)、计算机控制系统

设备可配套提供典型的工艺及配套解决方案



扩散/氧化炉系统的主要技术指标



炉管配置:1-4管/台

晶圆规格:4"、5"、6"、8"

炉体控制段:3/5段

恒温区长:760(800)mm / 1000mm

反应室配置:石英管/碳化硅管

加热体材料:KANTHAL APM/A-1 或相当

温度均匀性:800-1300℃ /±0.5℃

300-900℃ /±1℃

工艺温度范围:300-1300℃

可控升温速度:15-20℃/min

降温速度:(1250~1000℃ ) 8℃/min

控制系统:工业计算机(10"-15"液晶屏)

送片系统:SiC悬臂/双石英杆

净化等级:100级或更好

净化风流:水平或垂直

送片速度:100mm-500mm/min

定位精度:2mm

气源气路:EP级316L管道1/4"或3/8"

阀门组件:SWAGELOK或相当

管道焊接:自动轨道焊接

工艺保证:提供典型的工艺

 
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